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元件参数资料
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参数目录40450
> FDG6306P MOSF P CH DUAL 20V 600MA SC70-6
型号:
FDG6306P
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSF P CH DUAL 20V 600MA SC70-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDG6306P PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Mold Compound Change 12/Dec/2007
产品目录绘图
MOSFET SC70-6 Pkg
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
600mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
420 毫欧 @ 600mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
114pF @ 10V
功率 - 最大
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
SC-70-6
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1608 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDG6306PCT
查看FDG6306P代理商
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